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半导体芯片冷热冲击试验方法高低温冲击试验箱
点击次数:295 更新时间:2023-08-21

半导体芯片冷热冲击试验方法高低温冲击试验箱

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目的:

芯片在生产过程中,需要对其进行冷热冲击试验。一般情况下,民用芯片的正常工作温度范围是 0℃-70℃,其他芯片性能更高,正常工作温度范围是 -55℃-125℃。以上温度范围都是芯片工作下的温度范围,当芯片不工作时,可以承受超过 200℃ 的焊接温度。

试件:

将试件芯片通电置于置物架上;

根据要求设定试验温度:

首先对试件进行低温试验,再进行高温试验,循环次数依要求进行:记录半导体芯片工作状态下,在设定温度下的相关参数,对产品分析,工艺改进以及批次的定向品质追溯提供确实的数据依据。

试件从低温或是高温试验开始,不同标准有不同的解析。若试验从低温段开始,试验结束在高温段,若试验从高温段开始,结束在低温段。为防止试件在试验结束后表面产品凝露,试验结束在低温段时需要增加烘干恢复的过程,这样就增加了试验周期,建议试验从低温段开始,结束在高温段。

温度范围:-65℃~150℃

低温冲击:-40℃,-55℃,-65℃

高温冲击:65℃,85℃,125℃

温度冲击时间小于3min,1min

温度保持时间30min,60min

测试时间不能少于1000个循环

热压器/无偏压 HAST测试 参考标准:JESD22-A118

温度范围:100℃~143℃

湿度范围:70%RH~100%RH

压力范围:0.5kg~3.5kg

测试时间不能少于200小时,具体根据用户实际要求,有些需要达到500小时到1000小时等不同时间

其他测试标准:GB/T 2423.1-2001 试验A:低温试验方法,试验B:高温试验方法,GJB 150.3-1986 高温试验, 低温试验, GB 11158《高温试验箱技术条件》, IEC60068-2-14 等测试标准。